Name: TSM250NB06CV-RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM250NB06CV RGG
Availability: InStock
Rating: 5 (100 reviews)

TSM250NB06CV-RGG

Pour Référence Seulement

Référence	TSM250NB06CV-RGG
Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Description	60V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	29 940 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 11 - juil. 16 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TSM250NB06CV-RGG

Fabricant	Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta), 28A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1440 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.9W (Ta), 42W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	25mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-PDFN (3.15x3.1)
Paquet / cas	8-PowerWDFN

TSM250NB06CV-RGG Packaging

TSM250NB06CV-RGG FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM250NB06CV-RGG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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